حافظه پایدار : حافظه پایدارحتی با از دست دادن قدرت ، مضمون خود را حفظ می کند .
ROM : خواننده حافظه ( ROM ) برنامه ای تلفیق داده شده است که در هنگام تولید حاوی داده های خاص می باشد .
ریزه های ROM حاوی شبکه ای از فتون ها و ردیف ها می باشد . این ستون ها و ردیف ها همدیگر را قطع می کنند . اگر مقدار 1 باشد یک دیود ، خطوط را به هم وصل می کند . اگر مقدار 0 باشد خطوط هرگز به هم وصل نخواهد شد .
ROM چگونه کار می کند .
ROM P : ROM P ، خواننده حافظه ای برنامه ریزی شده و پایداری می باشد که به صورت خالی ساخته شده است . و بعدها با داده های خاصی پر می گردد .
برنامه نویسی می تواند یک بار انجام گیرد . پس از برنامه نویسی داده ها همیشه در IC ذخیره می گردند . ریزه های خالی ROM P به صورت ارزان توسط برنامه ریزان خریداری می گردد .
ROM P ، شبکه های ستونی و ردیفی درست مثل ROM های معمولی دارند . تفاوت این است که نقاط مشترک ردیف ها و ستون ها در ریزه های ROM P به کمک فیوز به هم وصل می شوند . شارژی که وارد ستون می شود از فیوز ردیف زمینی عبور می کند و عدد 1 را نشان می دهد ، چون همه سلول ها فیوز دارند ، پس موقعیت اولیه ROM P هم 1 می شود . برای تغییر این مقدار به 0 ، شما از برنامه ریزی استفاده کنید که جریانی خاص را وارد سلول کند . ولتاژ بالاتر باعث شکست اتصال بین ستون و ردیف می شود . این مرحله به سوزاندن ROM P معروف است .
چطور ROM P کار می کند ؟
ROM P : خواندده حافظه قابل برنامه ریزی محو شونده (ROM P ) ریزه های ROM P را راه می اندازد و ROM P ها بارها قابل نوشتن هستند . دو ترانزیستور بالایه نازکی از اکسید از هم جدا می شوند . یکی از ترانزیستورها به دروازه شناور و دیگری به دورازه کنترل معروف است . دروازه شناور در طول دروازه کنترل به ردیف وصل می گردد .
در طول محل اتصال مقدار 1 است . برای تغییر آن به 0 باید اکسترون های را وارد دروازه شناور نموده . شارژ الکتریکی از 10 به 13 می رسد . این شارژ برای دروازه شناور به کار می رود و بیت ها به 0 می رسد .
تمام ورودی های ( دروازه ها ) . ROM P کاملاً باز هستند ، و به هر سلول مقدار 1 می دهند . برنامه نویسی ، سلول های مورد نیاز را به 0 می رساند . برای نوشتن مجدد ROM P ابتدا باید آن را پاک کنید . پاک کردن ROM P نیازمند ابزاری خاص است که نوار فرابنفش uv به طول موج ( mm 25307 ) از خود ساطع کند . پاک کننده ROM P ، انتخابی نیست و کا ROM P را پاک خواهد نمود این کار چند دقیقه طول می کشد ( پاک کردن بیش از حد مخرب است ، مراقب این کار باشید ) . ROM P ها از برنامه ریزی استفاده می کنند که بسته به نوع ROM P از ولتاژ خاصی استفاده کنند .
EEPROM : خواننده حافظه قابل برنامه ریزی و محو و الکتریکی EEPROM می تواند به صورت الکتریکی برنامه ریزی و پاک شود . در لحظه EEPROM ها یک بایت تغییر می کنند و پاک کردن آنها وقت گیر است . عیب EEPROM ها ، سرعت آنها ات . سرعت EEPROM در برخی از تولیدات آنقدر کم است که باعث تغییر سریع داده ها می گردد EEPROM ها در وسایل الکتریکی که برای حفظ داده های کوچک پایدار با سرعت پائین به کار می روند ، موجود است EEPROM های کوچک با فصول مشترک سرپایی در خیلی از وسایل الکترونیکی یافت می گردند.
EEPROM ها و حافظه های نوری چطور کار می کنند .
Flash (نور): حافظه نوری نوعی از EEPROM ها است که در وایرهای چرخشی به کمک به رشته الکتریکی در کیل ریزه یا قسمت از قبل تعیین شده ریزه که بلوک برای پاک کردن نام دارد به کار می رود. ضیاش های نوری خیلی سریع تر از EEPROM های قدیمی کار می کند چون داده ها را در قطعاتی که به اندازه K5 جا دارند می نویسند (به جای ابایت). حافظه های نوری کاربردهای فراوانی دارند. ریزه های PC BIOS فرم بسیار معروفی از حافظه نوری می باشد. ابزار جامد قابل رفع به طور چشم گیری فراگیر شده اند. کارت های COMPAT FLASH, SMART MEDIA خیلی معروفند به خصوص فیلم های الکترونیکی دوربین هایی دیجیتالی.
(برچسب حافظه)
بقیه تولیات قابل رفع شامل Memory Stick، کارت های حافظه PCMCIA و کارت هایی حافظه ای سیستم های بازی های ویدئویی است.
F RAM/FE RAM : F RAM (حافظه در دسترس اتفاقی ضروالکتریک نوعی حافظه پایدار است (NS200-70) پایدار بوده و برنامه نویسی چرخشی دارد.
سلول فرالکتریک شامل، خاطن فروالکتریک (نیم رسانایی اکسید فلز) و ترانزیستور MOS است. ساختار آن شبیه به سلول نگهداری DRAM است.
تفاوت در محتوای فنری بین خازن ها است؟ یعنی الکترودها. دوام دای الکتریک مواد بالا است بابا رشته الکتریکی در و قطب مخالف قرار می گیرد. اینه کار ادامه پیدا می کند تا رشته الکتریکی مخالف آن را معکوس کند.کابردهای FRAM و EEPROM مشابه است ولی FRAM سریع تر نوشته می شود. نقض FRAM های جدید، قیمت بالا و فشردگی پایین است ولی شاید در آینده بهبود یابد.
SRAM های باطری داد. این SRAM ها ترکیبی از باطریهای کوچک و SRAMIC می باشند. باطری کوچک، خرده های SRAM را تقویت می کند در حالی که باعث کاهش بقیه سیستم می شود.
انواع حافظه های خاص: حافظه سریابی (SAM)
مخالف RAM، SAM است. SAM داده ها را در سلولهای حافظه ای سری بندی می دارد. دسترسی به این داده ها به صورت رنجیروار است (مثل نوار) اگر داده ها در موقعیتی مناسب نباشند، تمامی سلول های حافظه ای چک می شوند تا داده مورد نیاز پیدا شود. SAM در حائل های حافظه ای خود کار می کنند (در حائل ها مرتب چیده شده اند.
FIFO: (خروجی اول در اول) نوعی حائل است که در آن اولین بایتی که می خواهد خارج شود از راه می رسد. این حائل ها در کامپیوتر های مختلف به کار می روند و کاربردهای ارتباطی دارند. FIFO ها دو دسته اند: هم زمان و چند زمان.
FIFO یی هم زمان ساعتی دارد که نوشته ها و خوانده ها را منترل می کند . در حالی که FIFO یی چند زمانی ، چند ساعت دارد که نوشته ها و خوانده ها را کنترل می کند FIFO هایی هم زمان ، ساده و جالبند . چون 1 ساعت دارند با کمک FIFO هایی هم زمان می شود توضیح داد که FIFO چیست .
در FIFO یی چند زمانه حدس زدن در مورد تعداد عناصری که در لحظه ای خاص عبور می کنند ، سخت است . به همین علت ، اجرای FIFO در خیلی جاها نیاز چند سیستمی عجیب است . در این سیستم ها از پرچم هایی استفاده می شود که پر بودن یا خالی بودن FIFO را نشان می دهند .
FIFO معمولاً تغییرات دادها با کمک میانگین ها کاهش می دهند .
با این کار تمام دادها خوانده می شوند . در حالی که داده ها بیشتری وارد FIFO می گردند . به این دلیل FIFO ها کمتر استفاده می شوند . البته داده ها بیرون هم می فرستاده می شوند . سیستم هایی که از FIFO استفاده می کنند از آغاز گرهایی برای تعیین نقطه صدور درایو یا چگونگی پر شدن جعبه استفاده می کنند